数学物理学报 ›› 1983, Vol. 3 ›› Issue (2): 171-178.
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朱子浩
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摘要: 本文用计算机模拟1012至1014/cm2剂量的磷离子和1012至1013/cm2剂量的硼离子注入硅后,用氧化剥层技术测试杂质分布的情况,特别是表面态和衬底PN结对剥层测试的影响。分析表明磷剂量低于1013/cm2和硼剂量低于1012/cm2时,剥层法测出的分布会严重偏离实际注入分布。还分析了用表面态耗尽层宽度来估计这种偏差不可靠的原因。
朱子浩. 剥层法测硼磷离子注硅剖面的计算机模拟[J]. 数学物理学报, 1983, 3(2): 171-178.
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