γ辐照掺杂SiO2的ESR研究

波谱学杂志 ›› 1989, Vol. 6 ›› Issue (1): 35-40.

γ辐照掺杂SiO₂的ESR研究

刘雅言, 詹瑞云, 曲淑华

中国科学院长春应用化学研究所

收稿日期:1987-09-27 修回日期:1988-02-03 出版日期:1989-03-05 发布日期:2018-01-22

ESR STUDIES OF Γ-IRRADIATED SiO₂ DOPED WITH IMPURITY IONS

Liu Yayan, Zhan Ruiyun, Qu Shuhua

Changchun Institute of Applied Chemistry, Academia Sinica

Received:1987-09-27 Revised:1988-02-03 Online:1989-03-05 Published:2018-01-22

摘要/Abstract

摘要： 分别掺有磷和硼的二氧化硅经γ辐照后产生多种顺磁性中心,ESR研究指出氧空穴O^-主要稳定在杂质离子附近.O₂^-自由基稳定在Si离子上.F心的研究认为氧缺位俘获电子存在一个动态平衡过程.

关键词: SiO₂掺杂, γ辐照, ESR, O-空穴中心, O₂^-自由基, F色心

Abstract: ESR method was used to study the properties of paramagnetic centers generated by γ-irradiating silica gel containing respectively phosphorus and boron as impurity ions. Oxygen holes O^- were found to be stablized close to impurity ions. In addition, O₂^- radical and F colour center signals were observed and investigated. A dynamic equilibrium process would exist during F centers formation.

Key words: Doping SiO₂, γ-irradiation, ESR, O₂^- radical, O^- hole center

刘雅言, 詹瑞云, 曲淑华. γ辐照掺杂SiO₂的ESR研究[J]. 波谱学杂志, 1989, 6(1): 35-40.

Liu Yayan, Zhan Ruiyun, Qu Shuhua. ESR STUDIES OF Γ-IRRADIATED SiO₂ DOPED WITH IMPURITY IONS[J]. Chinese Journal of Magnetic Resonance, 1989, 6(1): 35-40.

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γ辐照掺杂SiO₂的ESR研究

ESR STUDIES OF Γ-IRRADIATED SiO₂ DOPED WITH IMPURITY IONS

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