PECVD a-SiNx:H薄膜中的氢分布

波谱学杂志 ›› 1998, Vol. 15 ›› Issue (4): 295-302.

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PECVD a-SiNx:H薄膜中的氢分布

何奕骅¹, 翁丽敏¹, 许春芳¹, 杨光², 邬学文²

1. 华东师范大学电子科学技术系, 上海 200062;
2. 分析测试中心, 上海 200062

收稿日期:1998-02-18 出版日期:1998-08-05 发布日期:2018-01-13
作者简介:何奕骅,男,34岁,硕士,工程师
基金资助:
国家自然科学基金

ANALYSIS ON-HYDROGEN IN PECVD a-SiNx: H

He Yihua¹, Weng Limin¹, Xu Chunfang¹, Yang Guang², Wu Xuewen²

1. Department of Electronic Science Technology, East China Normal University, Shanghai 200062;
2. Analytical Center, East China Normal University, Shanghai, 200062

Received:1998-02-18 Online:1998-08-05 Published:2018-01-13

摘要/Abstract

摘要： 用红外光谱、质子核磁共振谱对以SiH₄/NH₃/N₂混合气体为源、用等离子体增强化学气相淀积法淀积的非晶氢化氮化硅(a-SiNx:H)薄膜进行了分析,结果表明膜中H以Si-H和N-H形式存在,均呈集聚和疏散两种分布状态,衬底温度影响氢的总量和分布均匀性,射频功率显著影响[N-H]/[Si-H],退火后氢仍呈集聚和疏散两种分布.

关键词: 非晶氢化氮化硅薄膜, 氢原子, 红外光谱, 质子核磁共振

Abstract: Amorphous hydrogenated silicon nitride (a-SiNx:H) films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition using SiH₄/NH₃/N₂ mixtures are analysed by infrared and proton nuclear magnetic resonance. The results demonstrate that hydrogen in the films exists in the forms of Si-H and N-H, both of which are in the state of cluster and dispersion. Substrate temperature effects on total hydrogen density and homogeneity,rf power controls the ratio of[N-H]/[Si-H]; after annealing, the spatial distribution of hydrogen is still in cluster and dispersion phase.

Key words: Silicon nitride, Hydrogen, IR, NMR

何奕骅, 翁丽敏, 许春芳, 杨光, 邬学文. PECVD a-SiNx:H薄膜中的氢分布[J]. 波谱学杂志, 1998, 15(4): 295-302.

He Yihua, Weng Limin, Xu Chunfang, Yang Guang, Wu Xuewen. ANALYSIS ON-HYDROGEN IN PECVD a-SiNx: H[J]. Chinese Journal of Magnetic Resonance, 1998, 15(4): 295-302.

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PECVD a-SiNx:H薄膜中的氢分布

ANALYSIS ON-HYDROGEN IN PECVD a-SiNx: H

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