波谱学杂志 ›› 1999, Vol. 16 ›› Issue (6): 477-484.
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郭远清1, 刘红平1, 刘效庸1, 林洁丽1, 黄光明1,2, 高晖1, 李津蕊1, 李奉延1, 刘煜炎1,2
GUO Yuanqing1, LIU Hongping1, LIU Xiaoyong1, LIN Jieli1, HUANG Guanming1,2, GAO Hui1, LI Jinrui1, LI Fengpen1, LIU Yuanyan1,2
摘要: 根据塞曼效应理论和激光磁共振光谱技术(LMR)的基本原理,讨论了双原子分子2∏态的塞曼效应特性并导出了解释分子塞曼跃迁的简明代数拟合方程,用这些方程对14N16O(X2∏1/2.3/2)及15N16O(X2∏3/2)(v=1←0)的LMR谱线进行数据拟合,得到塞曼跃迁上、下子能级的gJ因子值和二级塞曼效应因子k2.将按Hund耦合情形(a)及过渡情形(ab)的理论和拟合方程计算出的磁场位置分别与实验结果相比较,结果表明对NO分子而言,过渡情形(ab)能较真实反映它的耦合情况,且在较高强度磁场下,必须计及二级塞曼修正验证了采用上述代数拟合方程实现新分子LMR谱线标识和指认的可靠性,并提供了系统的处理方法.